三极管开漏与推挽输出

三极管

三极管是由两种不同的半导体组成，两个P型半导体1个N型半导体，组成PNP型三极管，两个N型半导体和一个P型半导体，组成NPN型三极。
PNP型三极管如下图所示。通过图，我们可以看出，PNP型半导体导通条件就是：Vbe正偏，Vce反偏，Ic=Ib+Ie，Ve>Vb>Vc。

NPN型三极管如下图所示。通过图，我们可以看出，NPN型半导体导通条件就是：Vbe正偏，Vce反偏，Ic=Ib+Ie，Vc>Vb>Ve

整体可看下图

MOS管

MOS管全称是金属氧化物场效应管。其结构由三个半导体拼接而成，N-MOS由两个N型半导体，分别为S极和D极，衬底为P型半导体；P-MOS由两个P型半导体，分别为S极和D极，衬底为N型半导体；MOS管存在两个方向，一个是沟道方向（PN结方向），另一个是体二极管方向。

MOS管全称是金属氧化物场效应管。其结构由三个半导体拼接而成，N-MOS由两个N型半导体，分别为S极和D极，衬底为P型半导体；P-MOS由两个P型半导体，分别为S极和D极，衬底为N型半导体；MOS管存在两个方向，一个是沟道方向（PN结方向），另一个是体二极管方向。
MOS管导通特性：

NMOS：Vgs 大于 一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS：Vgs 小 于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

MOS 管做开关电路时的连接：体二极管的负极输入，正极接地或者输出。

NMOS: D输入，S输出
PMOS: S输入，D输出

推挽输出

要理解推挽输出，首先要理解好三极管（晶体管）的原理。下面这种三极管有三个端口，分别是基极（Base）、集电极（Collector）和发射极（Emitter）。下图是NPN型晶体管。

这种三极管是电流控制型元器件，注意关键词电流控制。意思就是说，只要基极B有输入（或输出）电流就可以对这个晶体管进行控制了。
下面请允许我换一下概念，把基极B视为控制端，集电极C视为输入端，发射极E视为输出端。这里输入输出是指电流流动的方向。

当控制端有电流输入的时候，就会有电流从输入端进入并从输出端流出。

而PNP管正好相反，当有电流从控制端流出时，就会有电流从输入端流到输出端。

那么推挽电路：

上面的三极管是N型三极管，下面的三极管是P型三极管，请留意控制端、输入端和输出端。
当Vin电压为V+时，上面的N型三极管控制端有电流输入，Q3导通，于是电流从上往下通过，提供电流给负载。

经过上面的N型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「推」。
当Vin电压为V-时，下面的三极管有电流流出，Q4导通，有电流从上往下流过。

经过下面的P型三极管提供电流给负载（Rload），这就叫「挽」。

以上，这就是推挽（push-pull）电路。

开漏输出

要理解开漏，可以先理解开集。

如图，开集的意思，就是集电极C一端什么都不接，直接作为输出端口。
如果要用这种电路带一个负载，比如一个LED，必须接一个上拉电阻，就像这样。

当Vin没有电流，Q5断开时，LED亮。
当Vin流入电流，Q5导通时，LED灭。

开漏电路，就是把上图中的三极管换成场效应管（MOSFET）。
N型场效应管各个端口的名称：

场效应管是电压控制型元器件，只要对栅极施加电压，DS就会导通。结型场效应管有一个特性就是它的输入阻抗非常大，这意味着：没有电流从控制电路流出，也没有电流进入控制电路。没有电流流入或流出，就不会烧坏控制电路。而双极型晶体管不同，是电流控制性元器件，如果使用开集电路，可能会烧坏控制电路。这大概就是我们总是听到开漏电路而很少听到开集电路的原因吧？因为开集电路被淘汰了。

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